DRAM存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片

摘要

本公开提出一种DRAM存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片，该DRAM存储单元包括电容器和鳍式场效应晶体管；鳍式场效应晶体管的第一源/漏区与电容器的第一电极连接。该存储单元阵列包括沿第一方向设置的多条位线和沿与第一方向交叉的第二方向设置的多条字线；多个DRAM存储单元；每个DRAM存储单元的栅电极均连接字线，每个DRAM存储单元的第二源/漏区均连接位线。本公开将鳍式场效应晶体管应用于DRAM，将栅电极形成于半导体衬底表面上，增加沟道长度，减少短沟道效应，方便制作，利于控制栅氧化层厚度，降低漏电发生率。制造栅电极的过程受微细化尺寸影响小，减少因制作的栅电极不合格导致存储单元不可用的情况。