在绝缘体上硅(SOI)平台上实现热效率

摘要

一种用于制造光子集成电路(photonic integrated circuit，PIC)的方法包括：设置绝缘体上硅(silicon‑on‑issulator，SOI)晶圆，其中，所述SOI晶圆包括设置在基半导体层和SOI层之间的绝缘体层，所述SOI层包括波导；在所述SOI层内设置至少一个插槽，其中，所述至少一个插槽位于所述波导的同一侧或相对侧，所述至少一个插槽与所述波导相隔预定距离；去除所述绝缘体层的一部分，以形成所述绝缘体层的蚀刻部分，其中，所述蚀刻部分位于所述波导的正下方，所述蚀刻部分的宽度至少等于所述波导的宽度。