一种基于TSV工艺的三维堆叠结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种基于TSV工艺的三维堆叠结构，包括：第一芯片，所述第一芯片具有第一芯片焊盘和第一介质层；第二芯片，所述第二芯片具有第二芯片焊盘和第二介质层，所述第二芯片通过所述第二介质层所在表面键合至所述第一芯片的所述第一介质层表面；第一导电硅通孔，所述第一导电硅通孔电连接至所述第一芯片焊盘；第二导电硅通孔，所述第二导电硅通孔电连接至所述第二芯片焊盘；外接焊盘，所述外接焊盘电连接至所述第一导电通孔、第二导电通孔；以及外接焊球，所述外接焊球设置在所述外接焊盘上。