掺杂多晶硅薄膜的应力监控方法及半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种掺杂多晶硅薄膜的应力监控方法及半导体器件的制造方法，由于先建立了掺杂多晶硅薄膜所对应的应力参数与离子掺杂浓度之间的相关性，因此能通过量测当前制造出的掺杂多晶硅薄膜中的离子掺杂浓度，即可根据相关性判断出当前制造出的掺杂多晶硅薄膜是否符合当前的应力参数要求，进而可以将现有技术的两道应力量测工序简化为一道离子掺杂浓度量测工序，由此简化了监控流程，缩短量测时间，大大降低了监控成本，避免了产能浪费，提高了监控效率。且监控频次可以从每次机台保养检测更改为每次掺杂多晶硅制造工艺结束后进行，监控频次大大提高，操作简单，能实现实时监控，避免工艺监控流程容易出现混乱的问题。