基于蚀刻残渣的抑制剂的选择性处理

摘要

可以进行牺牲材料在半导体衬底上的选择性沉积，所述衬底具有有多个衬底材料区域的表面，所述多个衬底材料区域对于所述牺牲材料具有不同的选择性，使得在所述衬底表面的第一区域上发生所述牺牲材料的实质性沉积，而在所述衬底表面的第二区域上没有发生实质性沉积。然后可以在所述衬底上进行非牺牲材料的沉积，使得在所述第二区域上发生所述非牺牲材料的实质性沉积，并且在所述第一区域上没有发生所述非牺牲材料的实质性沉积。接着可以去除所述牺牲材料，使得仅在所述第二区域上实质性发生所述非牺牲材料的净沉积。