PNP双极型晶体管制造方法

摘要

本发明涉及PNP双极型晶体管制造方法，涉及半导体集成电路制造技术，通过在PNP双极型晶体管的发射极引入氟离子，利用氟对硼离子的扩散抑制作用和剂量损失加强作用，可调节PNP双极型晶体管的Vbe参数，Vbe是指晶体管处于导通状态时的发射结电压，并通过调节氟离子注入能量和剂量实现PNP双极型晶体管的Vbe参数的可控调节，为带隙基准电压源电路的灵活设计奠定基础。