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丛众; 仲玉林; 朱肖林; 汪永生;
辽宁大学物理系;
成都星光电工厂;
沟道; 静电感应晶体管; 电力电子器件; pnp; 基区; 全温;
机译:对(In,Al,Ga)N背势垒进行工程设计,以实现高沟道电导率,从而在N极GaN高电子迁移率晶体管中实现极高的沟道厚度
机译:AIGaN沟道高电子迁移率晶体管的高频,高功率性能:RF仿真研究
机译:使用经济高效的最小制造工艺研究圆形绝缘体上硅膜上制造的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的压阻效应
机译:高跨导表面沟道金刚石场效应晶体管的高频应用
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:在玻璃基板上制造具有双层ITO / Al-Sn-Zn-O沟道结构的全透明高性能薄膜晶体管
机译:二维电子气亮温的测量 超低功耗的高电子迁移率晶体管的沟道
机译:具有sIpOs(半绝缘多晶硅)异质结发射极和离子注入快速热退火基区的高频硅双极晶体管
机译:制造与NPN双极晶体管平行的PNP双极晶体管以及N沟道和P沟道MOS晶体管的方法
机译:N沟道MOS晶体管和垂直PNP阳极晶体管的同时制造方法
机译:同时制造具有n沟道和垂直pnp双极晶体管的mos晶体管的方法
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