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一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管及制备方法

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摘要

本发明公开了一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管及制备方法，在通过传统形成横向PNP晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在横向PNP晶体管N型基区表面进行一次N型杂质注入，在N型基区表面形成一个环形的N+掺杂区，将横向PNP晶体管的基区宽度W

1. 一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管及制备方法 [P] . 中国专利： CN110828560A . 2020-02-21
2. 一种横向PNP晶体管及其制造方法 [P] . 中国专利： CN1971858A . 2007-05-30
3. LATERAL TRANSISTOR HAVING GRADED BASE REGION SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND FABRICATION METHOD THEREOF [P] . 韩国专利： KR20020083107A . 2002-11-01

机译：具有梯度基区半导体集成电路的横向晶体管及其制造方法
4. a lateral pnp transistor including a pmos transistor and a method for its manufacture [P] . SE0103805L . 2003-05-16

机译：包括pmos晶体管的横向pnp晶体管及其制造方法
5. LATERAL PNP BIPOLAR TRANSISTOR AND MANUFACTURING FOR INSULATOR SEPARATION LATERAL BIPOLAR TRANSISTOR [P] . 日本专利： JPH07142503A . 1995-06-02

机译：侧向PNP双极晶体管及其绝缘子的制造横向双极晶体管。