测量共晶键合对准偏差的测试结构

摘要

本发明公开了一种测量共晶键合对准偏差的测试结构，包括形成于第一硅晶圆的第一表面上的多个顶层硅条形以及形成于第二硅晶圆的第一表面上的第二键合材料块，在各顶层硅条形表面形成有第一键合材料层；各顶层硅条形作为共晶键合的对准偏差的刻度；第二键合材料块和第一测试衬垫连接；各顶层硅条形顶部的第一键合材料层都和对应的第二测试衬垫连接；进行对准偏差测量时，对第一和各第二测试衬垫的导通关系进行测量，导通时表示第二键合材料块和对应位置的顶层硅条形顶部的第一键合材料层键合，从而确定共晶键合的对准偏差。本发明能有效监控键合机台的对准精度。