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单晶炉加热装置、单晶炉及单晶炉的加热方法

摘要

本发明公开了一种单晶炉加热装置、单晶炉及单晶炉的加热方法,单晶炉加热装置包括第一加热结构,且沿周向第一加热结构的上端部至下端部的高度一致;第二加热结构,位于第一加热结构下方;第三加热结构,位于第二加热结构下方;第一加热结构的加热控制机构与第二加热结构、第三加热结构的加热控制机构不同,且第一加热结构的高度满足在等径生长阶段坩埚中的熔液处于第一加热结构的高度范围内。本发明第一加热结构的上端部至第一加热结构的下端部的高度一致,在等径生长阶段第一加热结构提供的热量能使熔液维持熔融状态,使熔液中和固液界面处有足够的纵向温度梯度,保持整个等径过程平稳进行,保证固液界面波动很小,从而保证晶棒的质量。

著录项

  • 公开/公告号CN111733447A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安奕斯伟硅片技术有限公司;

    申请/专利号CN202010461851.1

  • 发明设计人 蒲以松;

    申请日2020-05-27

  • 分类号C30B15/14(20060101);

  • 代理机构61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘长春

  • 地址 710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室

  • 入库时间 2023-06-19 08:27:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-13

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B15/14 专利申请号:2020104618511 申请公布日:20201002

    发明专利申请公布后的驳回

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