具有背面接触金属化的晶体管结构的深源极和漏极

摘要

晶体管结构包括由来自晶体管结构的正（例如，顶）面和背（例如，底）面两者的金属化来接触的深源极和/或漏极半导体。遵循可以是单晶的沟道区域的结晶性，深源极和/或漏极半导体可外延。源极和/或漏极半导体的第一层可具有较低的杂质掺杂，而源极和/或漏极半导体的第二层可具有较高的杂质掺杂。深源极和/或漏极半导体可在沟道区域下方延伸，并且可与子沟道区域的侧壁相邻，使得与晶体管结构的背面接触的金属化可穿过源极和/或漏极半导体的第一层的厚度来接触源极和/或漏极半导体的第二层。