公开/公告号CN111697075A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-22
原文格式PDF
申请/专利权人 半导体元件工业有限责任公司;
申请/专利号CN201911278314.7
申请日2019-12-13
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/08(20060101);H01L29/36(20060101);
代理机构11038 中国贸促会专利商标事务所有限公司;
代理人秦晨
地址 美国亚利桑那
入库时间 2023-06-19 08:20:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 专利申请号:2019112783147 申请日:20191213
实质审查的生效
机译: 具有屏蔽源极的绝缘栅场效应晶体管结构和方法
机译: 具有屏蔽源极的绝缘栅场效应晶体管结构和工艺
机译: 具有垂直分层的升高的源极/漏极结构的绝缘栅场效应晶体管