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公开/公告号CN111684417A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-18
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN201980011918.7
发明设计人 A·拉伊;P·R·玛哈拉纳;G·阿南德;
申请日2019-01-18
分类号G06F9/455(20060101);G06F12/06(20060101);G06F13/20(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-06-19 08:17:40
机译: 用于随机存取存储器的存储器存取方法和存储器存取电路,以及同步动态随机存取存储器设备和半导体存储器设备
机译: 电阻切换元件,相变元件,电阻随机存取存储器,相变随机存取存储器以及读取电阻随机存取存储器和相变随机存取存储器的方法
机译: 铁磁隧道结随机存取存储器,自旋阀随机存取存储器,单铁磁层随机存取存储器以及使用该存储器的存储器单元阵列
机译:随机存取存储器计费机II。磁盘随机存取存储器
机译:随机存取存储器计费机-II。磁盘随机存取存储器
机译:有限元建模模拟相变随机存取存储器中带加热器的附加组件和环形接触器以实现低功耗的SET操作
机译:SARAM(顺序存取和随机存取存储器),一种新型的双端口存储器,用于现在和以后的通信
机译:纳米级多铁性异质结构的制备和性能,用于磁电随机存取存储器(MERAM)。
机译:用于回填电阻随机存取存储器阵列的耐久性增强的早期检测电路
机译:提高了TA2O5 / AL2O3基电阻随机存取存储器的内在非线性特性,用于高密度存储器应用
机译:VLsI(超大规模集成)Ram(随机存取存储器)和pROm(可编程随机存取存储器)的电气特性