一种半导体结构及其制造方法、DRAM和半导体芯片

摘要

本发明涉及一种半导体结构及其制造方法、DRAM和半导体芯片，属于半导体技术领域，解决了现有技术中有源接触件与位线侧墙的拖尾部位接触而导致的导体间的短路的问题。一种半导体结构包括：半导体衬底；位线，位于所述半导体衬底上；以及位线侧墙，位于所述位线两侧，所述位线侧墙包括从内向外的第一氮化物侧墙层、氧化物侧墙层和第二氮化物侧墙层，其中，所述氧化物侧墙层的底部高于所述第一氮化物侧墙层和所述第二氮化物侧墙层的底部。通过氧化物侧墙层的底部高于第一氮化物侧墙层和第二氮化物侧墙层的底部能够避免位线与有源接触件短路。