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一种用于确定高能离子束对玻璃基板刻蚀深度的方法

摘要

本发明公开了一种用于确定高能离子束对玻璃基板刻蚀深度的方法,属于真空镀膜技术领域,主要针对离子束刻蚀玻璃基板,除去玻璃基板亚表面缺陷,提高玻璃基板及玻璃基板上沉积光学薄膜的抗激光损伤阈值和使用寿命的技术实施过程中,从离子束刻蚀玻璃基板精确控制和避免高能离子源长时间工作造成玻璃基底重金属离子污染角度而言,需要精确确定高能离子束对玻璃基板刻蚀深度,从而提高高能离子束对玻璃基板刻蚀效率。

著录项

  • 公开/公告号CN111609810A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院光电技术研究所;

    申请/专利号CN202010422925.0

  • 发明设计人 郭春;孔明东;

    申请日2020-05-19

  • 分类号G01B11/22(20060101);G01N21/25(20060101);C23C14/10(20060101);C23C14/06(20060101);C23C14/08(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 610209 四川省成都市双流350信箱

  • 入库时间 2023-06-19 08:08:08

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