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一种晶圆级片上微型热电子源的制备方法

摘要

本申请公开了一种晶圆级片上微型热电子源的制备方法,在该方法中,衬底被分为器件区和对准区。其中,在器件区内铺设碳纳米管,并在器件区内铺设碳纳米管,制备第二电极对阵列,其中所述第二电极对阵列用于固定所述碳纳米管并给所述碳纳米管提供电压,除去预设范围外的碳纳米管,在器件区内制备第一电极对阵列,其中所述第一电极对阵列与所述第二电极对阵列对应设置并连接所述第二电极对阵列,最后在所述碳纳米管相对区域的所述衬底上制备沟槽,其中所述碳纳米管悬浮于所述沟槽上。通过应用本申请的技术方案,可以实现一种晶圆级片上微型热电子源的制备方法,解决了相关技术中存在的制备电子源失败率过高的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN111613499A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202010345082.9

  • 发明设计人 赵振征;刘文超;魏贤龙;

    申请日2020-04-27

  • 分类号H01J9/04(20060101);H01J37/075(20060101);B82Y10/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构11619 北京辰权知识产权代理有限公司;

  • 代理人付婧

  • 地址 300452 天津市滨海新区中心商务区于家堡金融区双创大厦25层

  • 入库时间 2023-06-19 08:08:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-14

    授权

    发明专利权授予

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