抗总剂量电离辐射的超结VDMOS器件

摘要

本发明提供一种抗总剂量电离辐射的超结VDMOS器件，元胞区包括栅氧化层、积累区氧化层、栅多晶硅、第一导电类型体区、第一导电类型体接触区、第二导电类型源区、源极金属、第一导电类型条形区域、第二导电类型条形区域、漏极金属；在元胞区和终端区两个区域的底部共同具有第二导电类型缓冲层、漏极金属，本发明在超结VDMOS器件终端区的场氧化层内部引入了与源极或负电位或介于地电位到栅电位之间的电位相连接的横向极板，该横向极板将器件终端区的栅走线或栅多晶硅与体内硅层隔离开，其增益效果在于屏蔽了器件工作中栅极偏置对于场氧化层的影响，减少了总剂量辐射在器件场氧化层内引入的陷阱电荷，提高了器件的抗总剂量电离辐射能力。