一种抗EMI超结VDMOS器件

摘要

本发明涉及一种抗EMI超结VDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明提出的一种抗EMI超结VDMOS器件，通过在漂移区中引入高K介质材料柱，与纵向相邻的第一导电类型衬底、多晶硅电极形成MIS电容；通过在介质层上设置电阻，并将所述电阻与金属化源极直接接触，从而在漏极和源极之间引入串联的所述电阻和所述MIS电容，形成RC吸收电路，实现了对电压、电流过冲的有效缓解。因此，本发明结构在保证超结VDMOS原有基本电学性能的基础上，有效缓解了器件的电磁干扰问题。