公开/公告号CN111900157A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-06
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN202010611417.7
发明设计人 韩晓婧;
申请日2020-06-29
分类号H01L27/02(20060101);H01L27/082(20060101);H01L29/73(20060101);H01L29/08(20060101);H01L21/331(20060101);
代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人曹廷廷
地址 201315 上海市浦东新区良腾路6号
入库时间 2023-06-19 08:00:20
机译: 具有垂直BJT的BiCMOS SOI结构及其制造方法
机译: 梯度SIGE基浸成形垂直鳍式BJT的方法和结构。
机译: 设计版图的方法,制造半导体结构的方法以及半导体结构