首页> 中国专利> BJT版图结构及BJT结构的制造方法

BJT版图结构及BJT结构的制造方法

摘要

本发明提供了一种BJT版图结构及BJT结构的制造方法,BJT版图结构包括:衬底,位于所述衬底内的集电极,位于所述集电极上的多个对称的势阱,位于每个所述势阱上的基极,以及位于每个所述基极上的发射极;多个所述势阱映射到所述集电极同一层时,多个势阱位于所述集电极内;多个所述势阱、多个所述基极以及多个所述发射极共用一个所述集电极。在本发明提供的BJT版图结构及BJT结构的制造方法中,最终形成的版图中,多个BJT共用集电极,不像现有技术中,多个BJT都各有一个集电极,而多个集电极之间还有一定的间隙,因此,多个BJT占用的版图面积更少,可以节省更多的版图面积。

著录项

  • 公开/公告号CN111900157A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN202010611417.7

  • 发明设计人 韩晓婧;

    申请日2020-06-29

  • 分类号H01L27/02(20060101);H01L27/082(20060101);H01L29/73(20060101);H01L29/08(20060101);H01L21/331(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人曹廷廷

  • 地址 201315 上海市浦东新区良腾路6号

  • 入库时间 2023-06-19 08:00:20

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号