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一种获得电荷俘获型3D NAND闪存软信息的方法

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本发明公开一种获得电荷俘获型3D NAND闪存软信息的方法，通过读取目标页面相邻的存储器单元的数据，根据离线训练获得的相邻存储器单元对其电荷保持干扰影响，对目标页面数据的软信息进行修正，提高软信息的准确性，获得更高的纠错性能。对于提高电荷俘获型3D NAND闪存的性能、寿命和稳定性，同时减少占用资源和延迟时间，有重要的意义。

著录项

公开/公告号CN111798902A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-20

原文格式PDF
申请/专利权人山东华芯半导体有限公司;
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申请/专利号CN202010593839.6
发明设计人裴永航;高美洲;
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申请日2020-06-28
分类号G11C16/08(20060101);G11C16/26(20060101);G11C29/42(20060101);G06F11/10(20060101);
代理机构37218 济南泉城专利商标事务所;
代理人赵玉凤
地址 250101 山东省济南市高新区新泺大街1768号齐鲁软件园大厦B座二层
入库时间 2023-06-19 08:00:20

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-03-03

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G06F11/10 专利申请号:2020105938396 申请公布日:20201020

发明专利申请公布后的驳回

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外文文献

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