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Jiang Xiao-bo; 姜小波; Tan Xue-qing; 谭雪青; Zhou Guan-tai; 周观太; Zhu Xiang-yu; 朱翔宇;
四川省电子学会;
广东省电子学会;
重庆市电子学会;
NAND闪存; ECC纠错架构; 软信息获取; 误码平层;
机译:带有自适应码字纠错码的非易失性随机存取存储器和NAND闪存集成固态驱动器,可将原始误码率提高3.6倍,功耗降低97%
机译:使用代码字变量ECC的非易失性RAM和NAND闪存集成固态驱动器-固态驱动器的建议,可实现3.6倍的误码率并可以降低97%的功耗
机译:使用非易失性RAM和NAND闪存的SSD高错误率补偿架构和纠错码
机译:通过水平错误检测和垂直LDPC ECC来消除错误的ECC,从而使3D-NAND闪存SSD的数据保留时间增加230%,可接受的误码率提高90%
机译:使用对数似然纠错解码器的误码率锁定环。
机译:用于NAND闪存设备的压缩辅助自适应ECC和RAID分散
机译:适用于多层单元NAND闪存的纠错码
机译:LOCa生成碎屑对BWR ECCs滤网堵塞可能性的参数研究。总结报告
机译:NAND闪存控制器中的纠错码(ECC)选择具有多个纠错码
机译:错误码生成方法包括记录和扫描数据序列和纠错数据,并根据确定的位错误生成错误码,并根据控制信号对数据序列的位内容进行修改
机译:使用与已标识的ECC保护级别相对应的ECC生成纠错码(ECC)数据
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