形成具取代金属栅极与接触的场效晶体管的方法及其结构

摘要

本发明涉及形成具取代金属栅极与接触的场效晶体管的方法及其结构，在形成集成电路(IC)结构的方法中，集成电路结构将多个场效晶体管(FET)与离散的取代金属栅极(RMG)及取代金属接触(RMC)合并，于相同程序层级形成栅极切口沟槽与接触切口沟槽。然后，同时用相同隔离材料填充沟槽，以分别形成电隔离相邻RMG的栅极切口隔离区及电隔离相邻RMC的接触切口隔离区。所选择的隔离材料就最佳效能而言，可是低K隔离材料。再者，由于是将相同程序步骤用于填充两种类型的沟槽，只需单一化学机械抛光(CMP)程序，将隔离材料从栅极层阶上面移除，以使栅极高度损耗与制程变异降到最小。本文中还揭示一种根据本方法所形成的IC结构。