V1和更高层可编程ECO标准单元

摘要

在本公开的一方面，提供了用于降低在芯片设计中使用ECO标准单元库的成本的装置。这一装置是包括若干区域(102、104、106和108)的MOS器件。该MOS器件包括在该器件的第一区域(102)中的第一pMOS晶体管(192)和第一nMOS晶体管(194)，这些晶体管中的每一者具有鳍。第一pMOS晶体管的pMOS晶体管栅极和第一nMOS晶体管的nMOS晶体管栅极由跨该器件在第一方向上延伸的栅极互连(112)形成。该MOS器件包括在该器件的毗邻于第一区域的第二区域(104)中的若干未利用的pMOS和nMOS晶体管。第一区域中的pMOS和nMOS晶体管的鳍与第二区域中的未利用的pMOS和nMOS晶体管的鳍断开连接。