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公开/公告号CN108962598A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-12-07
原文格式PDF
申请/专利权人 清华大学;
申请/专利号CN201810788796.X
发明设计人 李琦;周垚;何金良;成桑;胡军;曾嵘;余占清;张波;
申请日2018-07-18
分类号
代理机构北京汇信合知识产权代理有限公司;
代理人戴凤仪
地址 100084 北京市海淀区清华大学高压馆210室
入库时间 2023-06-19 07:37:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01G4/20 申请日:20180718
实质审查的生效
2018-12-07
公开
机译: 使用等离子体的低温薄膜沉积方法,将薄膜的沉积质量作为低温沉积系统
机译: 低温多晶硅薄膜的组成及其在低温下的直接淀积和电感耦合等离子体化学气相沉积设备制造多晶硅薄膜的方法
机译: 通过使用低温等离子体增强化学气相沉积制备聚合物薄膜的方法
机译:低温微波激发大气压等离子体射流沉积ZnO纳米片的薄膜方法
机译:大气压等离子体液体沉积和大气压等离子体增强化学气相沉积沉积的聚乙二醇薄膜:工艺,化学组成分析和生物相容性
机译:大气压等离子体化学气相沉积法制备的含银纳米颗粒的抗菌活性氧化硅层的低温沉积
机译:Cu(In,Ga)Se_2薄膜通过大气压等离子体沉积系统从Cuga金属合金和Se薄膜制备
机译:一种在大气压下化学气相沉积制备氢化非晶硅薄膜的简单方法。
机译:直流和射频等离子体射流的大气压等离子体沉积有机硅薄膜
机译:使用RF驱动的大气压等离子体射流在氮气氛中使用RF驱动的大气压等离子体射流低温沉积Cu薄膜
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