高能量密度脉冲等离子体同轴枪制备Ti(C,N)薄膜研究

彭志坚; 苗赫濯; 杨思泽; 刘赤子; 齐龙浩; 潘伟

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高能量密度脉冲等离子体同轴枪制备Ti(C,N)薄膜研究

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用高能量密度脉冲等离子体同轴枪分别在硬质合金和氮化硅陶瓷刀具基体上沉积了Ti(C,N)薄膜,研究了各种因素对薄膜相转化的影响,通过XRD分析,最后得到合适的Ti(C,N)薄膜沉积工艺条件是:枪压3.5kV,同轴枪与试样间距30～40mm,氮气进气压力0.2MPa,电磁阀电压1.5kV,脉冲等离子轰击次数5次以上.

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来源
《机械工程材料》 |2004年第1期|20-22|共3页
作者
彭志坚; 苗赫濯; 杨思泽; 刘赤子; 齐龙浩; 潘伟;
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作者单位

清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084;

清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084;

中国科学院物理研究所,北京,100080;

中国科学院物理研究所,北京,100080;

清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084;

清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的性质;
关键词
高能量密度脉冲等离子体; 碳氮化钛薄膜; 刀具; 相转化;

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