法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-04-24
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R1/04 申请日:20170526
实质审查的生效
2018-12-07
公开
公开
机译: 绝缘栅型半导体器件及其可靠性和特性不会因按压而降低,并且使用该绝缘栅型半导体器件的功率逆变器
机译: 功率半导体器件功率半导体模块中使用的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),其功率半导体组件的横向边缘布置在导线上,与非导电绝缘体相邻
机译: 垂直功率MOS组件绝缘栅双极型晶体管,具有P型掺杂区域,该区域垂直延伸穿过硅片,并且在栅指和漏指之间的导通区从漏指的方向沿环向延伸