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CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法

摘要

本发明公开了CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法,包括以下步骤:通过对金刚石本体的尺寸进行分析,确定切割面的位置,然后通过夹具把金刚石本体进行固定;通过对导向轮和调节轮参数的控制,确定金刚石本体的切割厚度,可以分多次进行切割,每次切割的厚度记为T1、T2、T3、T4,确保对金刚石本体切割的稳定性和精确性,提高金刚石本体的切割质量;对切割厚度进行换算,确定滚珠丝杠的进给量,实现对金刚石本体的倾斜切割,对切割环境进行调节。本发明能够实现一次多片切割,大大地提高了设备的切割效率,可以实现水平方向上的进给,采用斜切的方式,降低切割对样品的损耗,同时切割后的形状类似于钻石的形状,方便二次切割。

著录项

  • 公开/公告号CN108908762A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安碳星半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN201810623644.4

  • 发明设计人 刘宏明;左浩;李升;

    申请日2018-06-15

  • 分类号

  • 代理机构北京盛凡智荣知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘晓晖

  • 地址 710000 陕西省西安市国家民用航天产业基地东长安街888号LED产业园1号楼1层厂房南半部

  • 入库时间 2023-06-19 07:26:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):B28D5/00 申请日:20180615

    实质审查的生效

  • 2018-11-30

    公开

    公开

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