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秦玉琨; 肖宏宇; 刘利娜; 孙瑞瑞; 胡秋波; 鲍志刚; 张永胜; 李尚升; 贾晓鹏;
洛阳理工学院数理部,洛阳 471023;
河南理工大学材料科学与工程学院,焦作 454000;
吉林大学,超硬材料国家重点实验室,长春 130012;
高温高压; Ib; 型金刚石; 籽晶; 极限生长速度;
机译:金刚石籽晶对大功率电子设备用GaN金刚石薄膜晶圆的微结构性能和热稳定性的影响
机译:用4 Nm和0.25 Mm金刚石粉的不同金刚石籽晶工艺制备的纳米晶金刚石膜
机译:凹进深度和籽晶侧面的晶体学取向对CVD单晶金刚石同质外延生长的影响
机译:金刚石尺寸和金刚石分布对钢筋混凝土加工过程中烧结金刚石-金属复合材料磨损行为的影响-计算机层析成像和统计评估
机译:平均晶粒尺寸对多晶金刚石膜功函的影响。
机译:镓的表面Zeta电位和金刚石籽晶氮化膜
机译:金刚石籽晶对大功率电子器件用GaN金刚石晶片的微观结构和热稳定性的影响
机译:富勒烯前体衍生的纳米金刚石薄膜的晶界和晶粒尺寸分布
机译:用于碳化硅单晶生长籽晶的碳化硅单晶生长籽晶的制造方法,碳化硅单晶的制造方法以及碳化硅单晶
机译:使用压力驱动生长工艺和多个籽晶垫制造合成单晶金刚石材料的方法,每个籽晶垫包括多个单晶钻石晶种
机译:去除SiC籽晶的影响层的方法,SiC籽晶的制造方法及SiC衬底
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