一种将CMOS电路与体硅MEMS单片集成的方法

摘要

本发明公开了一种将CMOS电路与体硅MEMS单片集成的方法，包括在硅片衬底层表面上完成集成电路的制作；在SOI硅片衬底层表面上淀积钝化层保护所述的集成电路；在SOI硅片结构层上制备导电电极；在SOI硅片结构层上光刻，并对MEMS结构图形刻蚀，直至绝缘层；对绝缘层位于所述MEMS结构图形区域和衬底层之间的部分进行刻蚀；去除衬底层表面的钝化层；裂片、封装、测试。本申请提供一种将CMOS电路与体硅MEMS单片集成的方法,该技术与现有技术相比采用Post‑CMOS工艺，可以避免污染、降低对设备的投资,采用了体硅MEMS做结构，能制作出较大的质量块和高的结构深宽比，采用单晶硅作为MEMS结构材料，减少了结构中的应力问题，避免了隔离槽的加工，且能够减小芯片的面积，降低成本。