一种能精确控制IGBT空穴载流子注入的制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件制造技术领域，特别提供一种能精确控制IGBT空穴载流子注入的制造方法。所采用的晶圆是通过直拉法得到的，对晶圆背面减薄后，再通过金属蒸发工艺或溅射工艺，将势垒金属Pt、Ir、AlSi附着于IGBT背面，减薄后的晶圆背面所含有的氧原子溶度将与原先衬底中所含的氧原子溶度基本保持一致。所述背面肖特基结的形成工艺包括势垒金属层的形成和低温退火处理；所述退火处理的温度在400～550℃之间。通过低温退火使晶圆背面一部分的氧原子形成溶度在5×1013cm‑3以上的热施主，在结合处与势垒金属构成肖特基结。本发明通过采用不同的势垒金属和低温处理的条件，能精确控制集电极区掺杂物活性化率，从而精确控制IGBT集电极区的空穴注入效率。