一种新型空穴旁路TIGBT器件

摘要

本文提出了一种新型空穴旁路TIGBT器件。在传统TIGBT的基础之上，新结构采用槽型发射极并在金属发射极下引入一层P+空穴旁路区。仿真结果表明，新结构有效地抑制寄生晶闸管的闩锁效应，具有宽正向偏置安全工作区和高的闩锁电流以及更好的温度稳定性。此外，新型TIGBT器件中所有的杂质注入都不需要额外的掩模版，为器件的制造提供了方便。