一种改善晶体质量的GaN基LED外延底层生长方法

摘要

一种改善晶体质量的GaN基LED外延底层生长方法，在MOCVD生长炉的反应室内在蓝宝石衬底上生长低温GaN缓冲层，对低温GaN层高温烘烤，再生长GaN成核层；然后依次生长非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱层、p型AlGaN层、p型GaN层和p型GaN电极接触层。上述生长方法将会对衬底和外延之间的晶格失配产生影响，改变外延片的应力分布从而改变生长过程中的翘曲程度，并且提高了高温条件下生长GaN薄膜的结晶质量并且改善均匀性，使得整个LED外延层的结构质量更高，结构缺陷的减少使得载流子辐射性复合几率增加而提高了亮度，低生产成本，提高生长质量，最终提高GaN基LED器件的发光效率。