一种用于功率器件封装的全Cu3Sn化合物接头的制备方法

摘要

一种快速制备用于功率器件封装的全Cu3Sn化合物接头的方法，本发明属于电子封装技术领域，它要解决现有用于功率器件封装的全Cu3Sn化合物接头的加工工艺复杂、连接时间长、施加压力大的问题。制备方法：一、将Sn箔和Cu箔放入无水乙醇中进行超声清洗，取出后晾干，得到清洗后的Sn箔和Cu箔；二、在清洗后的Sn箔的两面涂抹助焊膏，然后将Cu箔放置在Sn箔表面，形成Cu/Sn/Cu三明治结构箔片；三、将Cu/Sn/Cu三明治结构箔片置于热压焊机工作台上，控制加热温度为250℃～400℃，钎焊时间为1s～9.9s，进行连接，连接过程中持续施加0.05MPa～0.7MPa焊接压力，焊接结束后空冷至210℃以下，即完成所述的用于功率器件封装的全Cu3Sn化合物接头的制备。本发明能够实现小压力、耐高温的封装连接，连接时间短。