公开/公告号CN108582528A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-09-28
原文格式PDF
申请/专利权人 中山市海晶电子有限公司;
申请/专利号CN201810254338.8
申请日2018-03-26
分类号
代理机构北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人张清彦
地址 528467 广东省中山市坦洲镇龙塘二路1号1-2层
入库时间 2023-06-19 06:38:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-14
授权
授权
2018-10-26
实质审查的生效 IPC(主分类):B28D5/00 申请日:20180326
实质审查的生效
2018-09-28
公开
公开
机译: 一种晶片的制造方法,该晶片在可见光谱范围内具有高透射特性,并且对热辐射具有高反射率
机译: 用于制造半导体的薄研磨晶片形状校正方法,包括将薄研磨的晶片和膜加热到在胶带的室温和定影温度之间的范围内的温度,以补偿晶片的变形
机译: 一种用于生产在可见光谱范围内具有高透射性能并且对热辐射具有高反射率的晶片的方法,以及通过该方法生产的圆盘的方法