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一种超宽温度范围低频率变化量的石英晶片的制备方法

摘要

本发明公开了一种超宽温度范围低频率变化量的石英晶片的制备方法。本发明通过线切、晶片第一次研磨、分选、晶片第二次研磨、粘砣、磨砣、化砣、滚筒修边、清洗、第一次分频、浸蚀、第二次分频、挑选包装入库的工艺制成的石英晶片,该石英晶片在特殊环境温度范围(‑40℃~120℃),大幅度减小了频率的变化量,频率变化量不超过30ppm,保证了在特殊环境温度下的晶片正常稳定工作;而且,本发明的工艺成本低,便于控制,生产出的石英晶片品质好、精度高,可广泛应用于石英晶片的生产制造领域。

著录项

  • 公开/公告号CN108582528A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-09-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山市海晶电子有限公司;

    申请/专利号CN201810254338.8

  • 发明设计人 徐辉;吴延金;谢伟;

    申请日2018-03-26

  • 分类号

  • 代理机构北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张清彦

  • 地址 528467 广东省中山市坦洲镇龙塘二路1号1-2层

  • 入库时间 2023-06-19 06:38:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-14

    授权

    授权

  • 2018-10-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):B28D5/00 申请日:20180326

    实质审查的生效

  • 2018-09-28

    公开

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