制备用于生长氮化镓的衬底和制备氮化镓衬底的方法

摘要

本发明是有关一种制备用于生长氮化镓的衬底和制备氮化镓衬底的方法。所述方法包含：对硅衬底的表面执行热清洁；以原位方式在硅衬底的表面上形成氮化硅微掩膜；以及使用微掩膜中的开口通过外延横向过生长而生长氮化镓层。根据所述方法，通过改进典型的外延横向过生长，可简化用于制备用于生长氮化镓的衬底和氮化镓衬底的方法且减少加工成本。