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Cubic GaN - carbide substrates for HEMTs - silicon for GaN lasers

机译:立方氮化镓-用于HEMT的碳化物衬底-氮化镓激光器的硅

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摘要

The depth of Euronitride research continues to unfold as more results become available and, judging by the proceedings of the recent United Kingdom Nitride Consortium (UKNC) meeting, Euronitride research continues to be healthy and will provide more than enough meat for another chapter in this series. Unfortunately, Ⅲ-nitride research in France and Germany appears to be suffering from lower levels of state funding than was available in the 1990's.
机译:随着越来越多的可用结果,Euronitride研究的深度继续展开,根据最近的英国氮化物联盟(UKNC)会议的议事程序判断,Euronitride研究仍然健康,并且将为本系列的下一章提供足够的肉。不幸的是,法国和德国的Ⅲ-氮化物研究似乎受到的国家资助水平低于1990年代。

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