机译:立方氮化镓-用于HEMT的碳化物衬底-氮化镓激光器的硅
机译:碳化硅衬底上AlGaN / GaN HEMT的深能级和非线性表征
机译:半绝缘碳化硅衬底上的高功率微波GaN / AlGaN HEMT
机译:用于高频应用的碳化硅衬底上AlGaN / GaN HEMT的热特性
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:在绝缘碳化硅衬底上生长的AlGaN / GaN HEMT的功率RF操作
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。