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一种大尺寸Rb0.5RhO2或Cs0.5RhO2晶体的生长方法

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本发明公开一种大尺寸Rb0.5RhO2或Cs0.5RhO2晶体的生长方法。该方法首先按照一定的质量比例，分别称取Rh2O3和助熔剂Cs2CO3或者Rh2O3和助熔剂Rb2CO3，用研钵研磨混匀后至于干净的氧化铝坩埚中；然后采用助熔剂法生长：先将温度升高到100℃，并维持8小时后，继续升温至1000℃或900℃，然后按照5℃/h的速率分别降温至800℃或700℃，最后自然冷却到室温，采用高纯水溶解助熔剂，烘干之后即可分别获得高质量大尺寸的Rb0.5RhO2或者Cs0.5RhO2单晶体。本发明的晶体生长方法具有生长设备简单、成本低廉、可获得高质量晶体等优点。

著录项

公开/公告号CN108531974A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-09-14

原文格式PDF
申请/专利权人南京大学;
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申请/专利号CN201810343203.9
发明设计人姚淑华;林大钧;吕洋洋;陈思思;陈延彬;陈延峰;
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申请日2018-04-17
分类号C30B11/00(20060101);C30B29/22(20060101);
代理机构32207 南京知识律师事务所;
代理人李媛媛
地址 210023 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号
入库时间 2023-06-19 06:31:19

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-10-16

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B11/00 申请日:20180417

实质审查的生效
2018-09-14

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