SOI横向MOSFET器件和集成电路

摘要

本发明提供一种SOI横向MOSFET器件和集成电路，所述器件中，有源层(3)包括分别位于有源层(3)的表面并且相互分离的体区(9)和漏区(12)、以及位于体区(9)的表面并且从靠近漏区(12)的一侧起按顺序设置的平面栅沟道区(14')、源区(11a)、体接触区(10)和源区(11b)；位于体区(9)和漏区(12)之间的有源层(3)为漂移区，漂移区和体区(9)的导电类型相反；有源层(3)在其表面以下设置有半导体埋层(4)，半导体埋层(4)和体区(9)的导电类型相同；所述器件具有槽栅结构(8)和平面栅结构(8')，槽栅结构(8)与体区(9)接触，并且从有源层(3)的表面纵向延伸至介质埋层(2)，平面栅结构(8')形成于体区(9)的上方。本发明的器件耐压高、比导通电阻低、功耗低、成本低、易小型化而且便于集成。