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公开/公告号CN108511527A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-09-07
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN201810306662.X
发明设计人 段宝兴;杨鑫;孙李诚;王彦东;杨银堂;
申请日2018-04-08
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构61211 西安智邦专利商标代理有限公司;
代理人胡乐
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2023-06-19 06:28:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20180408
实质审查的生效
2018-09-07
公开
机译: 具有电荷补偿结构的半导体元件具有垂直漂移区,该垂直漂移区被电荷补偿沟槽围绕,该电荷补偿沟槽具有交替导电的各向异性材料
机译: 垂直双扩散金属氧化物半导体器件的源极区域紧邻漏极区域,具有重掺杂扩散层
机译:具有连续电子累积层的超低比导通电阻高压垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:超低比导通电阻垂直双扩散金属氧化物半导体,具有高k电介质填充的扩展沟槽
机译:具有非均质浮岛的新型平面垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:高数字垂直双扩散MOSFET,局部SOI上的电荷沟槽
机译:功率垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管中的总电离剂量效应。
机译:用于高频和医疗设备的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化
机译:垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化 ud用于高频和医疗设备
机译:BsT中具有电荷补偿取代的薄膜铁电体的研究。