一种用于电子元器件的硅基铁电夹心结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种用于电子元器件的硅基铁电夹心结构的制备方法，首先制备PZT和PT先驱溶胶备用，在单晶硅衬底上生长二氧化硅，再在溅射一层金属Pt/Ti层作底层电极，在其上旋涂一层PT溶胶，再旋涂一层PZT溶胶，最后在铁电薄膜表面旋涂一层正胶，光刻，溅射一层金属Pt/Ti层，正胶剥离形成顶层电极，即得本发明的用于电子元器件的夹心结构。本发明方法降低了铁电薄膜的退火温度，从而提高了铁电薄膜的制备工艺与微电子工艺的兼容性。