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一种用于电子元器件的硅基铁电夹心结构

摘要

本实用新型涉及一种用于电子元器件的硅基铁电夹心结构,包括顶层Pt/Ti电极、PZT铁电薄膜、底层Pt/Ti电极、二氧化硅层、硅衬底,上述各层依次排列,还包括PT层,所述的PT层分别置于顶层Pt/Ti电极与PZT铁电薄膜之间以及PZT铁电薄膜与底层Pt/Ti电极之间。本实用新型的夹心结构,降低了铁电薄膜的退火温度,从而提高了铁电薄膜的制备工艺与微电子工艺的兼容性。

著录项

  • 公开/公告号CN2414513Y

    专利类型

  • 公开/公告日2001-01-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN00231330.8

  • 发明设计人 任天令;张林涛;刘理天;李志坚;

    申请日2000-03-31

  • 分类号H01L41/00;C04B35/01;

  • 代理机构清华大学专利事务所;

  • 代理人罗文群

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园

  • 入库时间 2022-08-21 22:41:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-05-23

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 2001-01-10

    授权

    授权

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