一种非对称双栅场效应晶体管结构

摘要

本发明公开了一种非对称双栅场效应晶体管结构，包括栅极控制端、源区、漏区、导电沟道以及位于导电沟道上下两侧的厚度不同的前栅栅介质和背栅栅介质，导电沟道位于源区和漏区之间，导电沟道为渐变掺杂应变硅沟道，靠近源区部分为低掺杂区域，靠近漏区部分为高掺杂区域；栅极控制端由前栅电极M1和背栅电极M2构成，前栅电极M1和背栅电极M2由两种不同功函数的金属构成，源区和漏区均为N型重掺杂，引出电极，分别为源极S和漏极D。本发明通过渐变掺杂沟道的设计，在提高载流子的迁移率的同时，提高了对短沟道效应和漏致势垒降低效应的抵抗能力，器件采用高k栅介质层，使栅介质层的物理厚度增大，大大减小栅与导电沟道之间的隧穿电流。