一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件

摘要

本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件，包括第一导电类型硅衬底和第一导电类型硅外延层，在第一导电类型硅外延层内设有沟槽，在沟槽内设有场氧层、屏蔽栅、栅极及栅氧层，相邻的沟槽间设有第二导电类型体区及第一导电类型源区，在沟槽与第一导电类型源区上设有绝缘介质层和源极金属，其特征在于，在相邻沟槽间的平台区，源极金属通过两个通孔与第二导电类型体区接触，且每个通孔下方均设有第二导电类型源区；本发明将传统的单一通孔改进为双通孔，能够有效抑制电流向平台中心汇聚，从而抑制了击穿薄弱点的产生，使得深沟槽器件可以采用电阻率更低的外延层与更厚的场氧层，进而降低器件的导通电阻。