设计有包括集成在封装上的管芯结构上的化合物半导体器件的高频通信器件的微电子器件

摘要

本发明的实施例包括微电子器件，其包括具有基于硅的衬底的第一管芯和耦合到第一管芯的第二管芯。在一个示例中，利用化合物半导体材料形成第二管芯。微电子器件包括利用多个电连接耦合到第一管芯的衬底。衬底包括用于在大约4GHz或更高的频率下发送和接收通信的天线单元。