GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池的制备方法

摘要

本发明涉及一种GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池的制备方法,包括(a)选取Si衬底；(b)利用磁控溅射法，在所述Si衬底上形成Ge外延层；(c)利用CVD方法，在所述Ge外延层上形成氧化层；(d)利用LRC工艺对所述Ge外延层进行晶化；(e)利用干法刻蚀工艺刻蚀所述氧化层；(f)利用MOCVD工艺，在所述Ge外延层上形成GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池层，以完成所述GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池的制备。本发明实施例采用LRC工艺制备GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池，通过连续LRC使Ge横向结晶生长，从而减少由于晶格失配引起的位错，制备出具有品质优良的衬底的GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池。