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基于ECC的NAND数据Read Retry纠错方法和NAND控制器

摘要

本发明实施例公开了基于ECC的NAND数据Read Retry纠错方法和NAND控制器,方法包括:a读取目标数据帧和其相邻的可纠错数据帧,记录可纠错数据帧的ECC纠错的第一错误比特值,目标数据帧为ECC不能纠错数据帧,可纠错数据帧为ECC可纠错数据帧;b设置Read Retry的电压变化阈值;c基于当前电压变化阈值重新读取目标数据帧和可纠错数据帧,记录可纠错数据帧的ECC纠错的第二错误比特值;d比较第一错误比特值和第二错误比特值,当第一错误比特值大于第二错误比特值时增加电压变化阈值,反之减小电压变化阈值;e将变化后的电压变化阈值作为当前电压变化阈值,返回执行c;重复执行c‑e,直到目标数据帧的可纠错比特值达到ECC纠错能力值。本发明实施例可减小Read Retry方法的读取次数。

著录项

  • 公开/公告号CN108241549A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-07-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京京存技术有限公司;

    申请/专利号CN201611225069.X

  • 发明设计人 台生斌;

    申请日2016-12-27

  • 分类号G06F11/10(20060101);G11C16/26(20060101);G11C16/34(20060101);

  • 代理机构11332 北京品源专利代理有限公司;

  • 代理人孟金喆;胡彬

  • 地址 100176 北京市大兴区经济技术开发区景园北街2号52幢202室

  • 入库时间 2023-06-19 05:49:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F11/10 申请日:20161227

    实质审查的生效

  • 2018-07-03

    公开

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