一种MoS2基量子阱型调制掺杂场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种MoS2基量子阱型调制掺杂场效应晶体管及其制备方法。MoS2基量子阱型调制掺杂场效应晶体管自下至上依次包括衬底、AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、GaN层、量子阱型结构层，所述量子阱型结构层为MoS2xSe2(1‑x)层/MoS2层/MoS2xSe2(1‑x)层；所述量子阱型结构层的上方设有源电极、漏电极和栅电极；栅电极设置在源电极和漏电极之间。本发明采用量子阱型结构，在此结构中存在两个平行的异质界面，最大电流薄层和电流都加倍；MoS2沟道层夹在两个势垒之间，能够更好地限制载流子。总之，本发明的晶体管具有优异的性能。