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李爱星;
南昌大学;
掺杂; 量子阱结构; GaN; LED; 光电;
机译:铝掺杂的ZnO上触点直接在p型GaN上而无需插入层的GaN基LED的低工作电压
机译:通过CIO夹层形成近紫外GaN基LED的Sb掺杂SnO_2 p型欧姆接触
机译:n型掺杂对GaN层和GaN基量子阱结构的发光特性的影响
机译:量子阱GaN基LED的光电性能的优化
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:形成蓝色LED八周期In0.2Ga0.8N / GaN量子阱的软约束电势的生长顺序中的量子势垒的最佳硅掺杂层。
机译:具有p型掺杂量子势垒的InGaN / GaN多量子阱发光二极管中的空穴传输增强
机译:在重掺杂mg的p型GaN中选择性激发蓝色发光
机译:制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
机译:制造p型基于gan的复合半导体的方法,激活包含在基于gan的复合半导体中的p型掺杂剂的方法,基于gan的复合半导体装置以及基于gan的复合半导体光导体
机译:GaN基LED元件,制造方法以及用于制造GaN基LED元件的模板的GaN基LED元件
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