公开/公告号CN108256641A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-06
原文格式PDF
申请/专利权人 上海磁宇信息科技有限公司;
申请/专利号CN201611237576.5
发明设计人 戴瑾;
申请日2016-12-28
分类号
代理机构上海容慧专利代理事务所(普通合伙);
代理人于晓菁
地址 201800 上海市嘉定区城北路235号二号楼二层
入库时间 2023-06-19 05:48:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-31
实质审查的生效 IPC(主分类):G06N3/063 申请日:20161228
实质审查的生效
2018-07-06
公开
公开
机译: 制作记忆细胞阵列的方法,记忆细胞阵列以及在记忆细胞阵列中操作记忆细胞的方法
机译: 单独包含一个电容器和一个高度延伸的晶体管的记忆细胞阵列,形成一个多层记忆细胞的阵列的方法以及形成单独包含一个电容器和一个异常的记忆细胞阵列的方法
机译: 记忆细胞阵列的金属位线的产生方法,记忆细胞阵列的产生方法和记忆细胞阵列